HR GaAs:Cr сенсоры могут повысить качество контроля 3D печати
Сотрудники лаборатории детекторов синхротронной излучения Томского государственного университета приняли участие в XV Международной научно-практической конференции «Современные проблемы машиностроения», проходившей в Томском политехническом университете. Ученые представили доклад, посвященный возможностям использования HR GaAs:Cr сенсоров для неразрушающего контроля деталей из полимеров.
Лейла Шаймерденова, научный сотрудник лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ, отмечает, что аддитивные технологии получили большое развитие и повсеместно применяются в современной промышленности. Это обуславливает необходимость разработки методов неразрушающего контроля качества изделий, напечатанных с помощью 3D принтеров. По мнению исследовательницы, одним из возможных вариантов является рентгеновский метод контроля, однако его использование осложняется малой плотностью полимеров и требует соответствующей оптимизации характеристик детекторов рентгеновского излучения.
В докладе сотрудника лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ Андрея Зарубина были представлены возможности использования детекторов на основе HR GaAs:Cr сенсоров для неразрушающего контроля деталей из полимеров. Было показано, что применение данных сенсоров позволяет получать высококачественные рентгеновские изображения полимерных объектов и контролировать внутренние неоднородности с пространственным разрешением в десятки микрометров.
Возможность работы детекторов в спектральном режиме позволяет оценивать плотность контролируемых образцов полимеров и, следовательно, понимать, насколько точно воспроизводится компонентный состав изделий во время 3D печати.
Данное направление развивает молодежная лаборатория «Микроэлектроника мультиспектральной квантовой интроскопии», созданная в Томском государственном университете после победы в конкурсе Минобрнауки РФ, проведенном в рамках нацпроекта «Наука и университеты».
Для практических разработок используется большой научный задел, созданный радиофизиками ТГУ. Важную роль играют данные, которые ученые получают в ходе реализации проекта «Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других «мегасайенс» проектов в России». Исследования проводятся при поддержке мегагранта правительства РФ.
Источник: Томский государственный университет
Фото: Томский государственный университет