Ученые Университета ИТМО разрабатывают методики исследования для новых полупроводниковых материалов на основе оксида галлия
Ученые Университета ИТМО провели научно-исследовательские работы по созданию полупроводниковых структур на основе оксида галлия для устройств силовой электроники и микроэлектроники нового поколения.
Перспективы применения оксида галлия в этих областях обусловлены его уникальными свойствами, такими как высокое напряжение пробоя, большие значения ширины запрещенной зоны и диэлектрической проницаемости. Внедрение материалов на основе Ga2O3 в производство, позволит создавать энергоэффективные (с малыми токами утечки) полупроводниковые устройства меньшего (до 27 раз в сравнении с Si и до 2 раз – с GaN и 4H-SiC) размера.
Сотрудниками Университета ИТМО в 2023 году были получены объемные кристаллы оксида галлия Ga2O3 с различными видами легирующих примесей и проведены исследования, необходимые для разработки методики оценки кристаллического совершенства и дефектной структуры получаемых материалов. Результаты работ позволят создавать собственные подложки больших размеров для Ga2O3 полупроводниковых структур. Также совместно с научными сотрудниками соисполнителя проекта Физико-технического института имени А.Ф. Ио́ффе РАН проводятся работы по изготовлению эпитаксиальных слоев и структур в системе (AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 на образцах полученных подложек и комплексному исследованию их свойств, разрабатываются методы формирования электродов, функциональных и технологических слоев. Детальное исследование структурных характеристик и дефектов разрабатываемых материалов с использованием синхротронного излучения запланировано на ноябрь 2023 года на станции РТ-МТ Курчатовского комплекса синхротронно-нейтронных исследований.
Фото: кристалл оксида галлия для создания подложек полупроводниковых материалов
Источник фото и информации: пресс-служба Национального исследовательского университета ИТМО