Сотрудники ИФПМ СО РАН внесли свой вклад в развитие нового подхода к технологии синтеза самосмазывающихся гибридных композитов для работы в экстремальных условиях скольжения с повышенными температурами фрикционного контакта. Были разработаны […]
Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) изготовили два промышленных ускорителя серии ЭЛВ-8 для индийской компании Siechem, которая специализируется на производстве кабелей и проводов. […]
Исследователи из Сколтеха и их российские и испанские коллеги экспериментально подтвердили работоспособность концепции нанотомографии давления — нового метода отображения внутренней структуры наноматериалов с учётом распределения их плотности. В опубликованной в […]
Ученые НИЦ «Курчатовский институт» разработали установку «Кремень-2» для создания наноструктурированных материалов с помощью технологий напыления и ионно-лучевого воздействия. Благодаря таким нанопокрытиям увеличивается срок службы обрабатывающего оборудования, используемого для фрезеровки, формообразования […]
Команда исследователей из Сколтеха и Томского политехнического университета применила уникальную технологию, используемую в аэрокосмической промышленности, для синтеза карбида гафния-тантала — тугоплавкого материала для покрытия электрических и механических компонентов, работающих в […]
Ученые Нового физтеха ИТМО предсказали уникальный тип связанных состояний в континууме, который полностью устойчив к изменениям параметров системы — это позволяет контролировать резонансные свойства метаповерхностей, а в перспективе может помочь […]
Ученые Томского политехнического университета выяснили, как изменяются микроструктура и свойства наноразмерных многослойных покрытий с чередующимися слоями циркония и ниобия после облучения протонами. Данные, полученные в результате теоретических и экспериментальных исследований, […]
Проведенное исследование посвящено созданию наноструктурных биметаллических катализаторов, существенно превосходящих платиноуглеродные аналоги по активности в реакции электровосстановления кислорода (РВК). В работе установлено, что значение диапазона потенциалов, в котором производится вольтамперометрическая активация […]
При росте монокристаллов полупроводников из-за конвекции и колебаний температуры расплава образуются слои толщиной до нескольких мкм с высокой концентрацией примесей, которые вызывают нестабильность электрофизических параметров. Различные способы борьбы со слоистостью, […]