В рамках федерального проекта «Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров» национального проекта «Наука и университеты», осуществляется модернизация опытного производства ФГБУ «Институт физики высоких энергий имени А.А. Логунова» г. Протвино, Московской области.
Первый пучок из источника электронов (электронной пушки) Центра коллективного пользования «Сибирский кольцевой источник фотонов» (ЦКП «СКИФ») пролетел сквозь всю структуру линейного ускорителя (25 м).
В рамках реализации федерального проекта «Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров», включенного в национальный проект «Наука и университеты», будет создан новейший отечественный научно-образовательный медицинский центр ядерной медицины и адронной терапии.
Реализация инвестиционного проекта «Реконструкция здания «Комплекс Бустер» для размещения прототипа импульсного источника нейтронов на основе реакции испарительно-скалывающего типа, г. Протвино, Московская область».
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех поставил волноводные тракты для ускорительного комплекса Центра коллективного пользования «СКИФ» – Сибирского кольцевого источника фотонов. СКИФ станет первым в мире синхротроном поколения 4+.
В рамках проектно-изыскательских работ выполнены археологические, геодезические, гидрометеорологические, геологические, геофизические и экологические инженерные изыскания, а также специализированные исследования по сейсмическому мониторингу, по ним получено положительное заключение государственной экспертизы от 22 мая 2024 года.
В рамках проектно-изыскательских работ выполнены археологические, геодезические, гидрометеорологические, геологические, геофизические и экологические инженерные изыскания, а также специализированные исследования по сейсмическому мониторингу.
Специалисты медико-биологического факультета Воронежского государственного университета разработали новый способ извлечения из кожи пресноводных рыб коллагена — ценного вещества для косметики, медицины и пищевой промышленности. Ученые получили патент на изобретение.