При росте монокристаллов полупроводников из-за конвекции и колебаний температуры расплава образуются слои толщиной до нескольких мкм с высокой концентрацией примесей, которые вызывают нестабильность электрофизических параметров. Различные способы борьбы со слоистостью, такие как магнитные поля, вибрации и др., не дают существенного эффекта. В Лаборатории космического материаловедения ИК РАН ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН разработан эффективный способ роста методом Чохральского монокристаллов полупроводников […]
