Ученые Университета ИТМО разрабатывают методики исследования для новых полупроводниковых материалов на основе оксида галлия
Ученые Университета ИТМО провели научно-исследовательские работы по созданию полупроводниковых структур на основе оксида галлия для устройств силовой электроники и микроэлектроники нового поколения. Перспективы применения оксида галлия в этих областях обусловлены его уникальными свойствами, такими как высокое напряжение пробоя, большие значения ширины запрещенной зоны и диэлектрической проницаемости. Внедрение материалов на основе Ga2O3 в производство, позволит создавать энергоэффективные (с малыми токами утечки) полупроводниковые устройства меньшего (до 27 раз в сравнении с Si […]